产品新闻
参考号：APN065
日期：2019年5月
荷兰奈梅亨 – 2019年5月8日，埃赋隆半导体（Ampleon）现在宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术（Advanced Rugged Technology，ART），并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产品。这个新工艺的开发旨在用于实现极其坚固的、工作电压高达65V的晶体管。
首款采用该工艺的产品ART2K0FE是一款2kW的晶体管，其频率响应为0至650MHz，采用气腔陶瓷封装。其设计能够承受工业、科学和医疗（ISM）应用中常见的最恶劣的条件，可用于驱动大功率CO2激光器、等离子发生器和一些MRI系统。ART器件之所以适用于这些应用，是因为其可以处理65V条件下高达65:1的驻波比（VSWR）失配，而这在CO2激光器和等离子发生器工作时可能碰到。
基于ART工艺开发的器件具有很高的阻抗，因此在开发阶段更容易将其集成到产品中，并确保在批量生产中具有更高的产品一致性。该工艺还可使所开发的器件比LDMOS竞争产品更加高效。这样便可通过节省输入电能，降低发热，来降低最终应用的运营成本。此外，采用该工艺的器件还可实现更高的功率密度，也就是说，它们可以采用更小、更低成本的封装，从而减少其电路板占位面积，进而降低系统成本。
ART器件还具有高击穿电压，有助于确保它们在整个预期寿命期间始终如一地可靠工作。埃赋隆半导体还保证这类器件可以供货15年，从而使产品设计人员可以进行长期规划。
采用气腔陶瓷封装的ART2K0FE现可提供样品，并有不同频率的参考电路可以选择。埃赋隆半导体还提供较低热阻的超模压塑料版本ART2K0PE。两种版本预计在2019年下半年量产。
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关于埃赋隆半导体（Ampleon）：
埃赋隆半导体创立于2015年，在射频功率领域拥有50年的领导地位，旨在发挥射频领域数据和能量传输的全部潜力。埃赋隆半导体在全球拥有超过1,350名员工，致力于为客户创造最佳价值。其创新而又一致的产品组合，可为诸如移动宽带基础设施、无线电和电视广播、CO2激光器和等离子体、核磁共振成像（MRI）、粒子加速器、雷达和空中交通管制、非蜂窝通信、射频烹饪和除霜、射频加热和等离子照明等广泛应用提供产品和解决方案。欲了解有关该射频功率领域全球领先合作伙伴的详细信息，请访问www.ampleon.com。