產品新聞
參考號：APN065
日期：2019年5月
荷蘭奈梅亨 – 2019年5月8日，埃賦隆半導體（Ampleon）現在宣佈基於其成熟的第9代高壓LDMOS制程技術派生出先進加固技術（Advanced Rugged Technology，ART），並借此開發出新系列射頻功率器件中的首款產品。這個新制程的開發旨在用於實現極其堅固的、工作電壓高達65V的電晶體。
首款採用該制程的產品ART2K0FE是一款2kW的電晶體，其頻率響應為0至650MHz，採用氣腔陶瓷封裝。其設計能夠承受工業、科學和醫療（ISM）應用中常見的最惡劣的條件，可用於驅動大功率CO2雷射器、電漿發生器和一些MRI系統。ART器件之所以適用于這些應用，是因為其可以處理65V條件下高達65:1的駐波比（VSWR）失配，而這在CO2雷射器和電漿發生器工作時可能碰到。
基於ART制程開發的器件具有很高的阻抗，因此在開發階段更容易將其整合到產品中，並確保在批量生產中具有更高的產品一致性。該制程還可使所開發的器件比LDMOS競爭產品更加高效。這樣便可透過節省輸入電能，降低發熱，來降低最終應用的運營成本。此外，採用該制程的器件還可實現更高的功率密度，也就是說，它們可以採用更小、更低成本的封裝，從而減少其電路板佔位面積，進而降低系統成本。
ART器件還具有高擊穿電壓，有助於確保它們在整個預期壽命期間始終如一地可靠工作。埃賦隆半導體還保證這類器件可以供貨15年，從而使產品設計人員可以進行長期規畫。
採用氣腔陶瓷封裝的ART2K0FE現可提供樣品，並有不同頻率的參考電路可以選擇。埃賦隆半導體還提供較低熱阻的超模壓塑膠版本ART2K0PE。兩種版本預計在2019年下半年量產。
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關於埃賦隆半導體（Ampleon）：
埃賦隆半導體創立於2015年，在射頻功率領域擁有50年的領導地位，旨在發揮射頻領域資料和能量傳輸的全部潛力。埃賦隆半導體在全球擁有超過1,350名員工，致力於為客戶創造最佳價值。其創新而又一致的產品組合，可為諸如行動寬頻基礎設施、無線電和電視廣播、CO2雷射器和電漿、核磁共振成像（MRI）、粒子加速器、雷達和空中交通管制、非蜂巢式通訊、射頻烹飪和除霜、射頻加熱和電漿照明等廣泛應用提供產品和解決方案。欲瞭解有關該射頻功率領域全球領先合作夥伴的詳細資訊，請訪問www.ampleon.com。